Добрый день, Lake!
Похоже, что перепутано.
Легирующие элементы: Фосфор (P), образующий донорную примесь (лишний электрон), и Бор (B) - образующий акцепторную примесь (дырка) показаны правильно. А вот negative и positive скорее всего перепутаны, т.к. в общепринятой терминологии:
"p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная)", см.:https://ru.wikipedia.org/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4

srsolnechnye
Доброго времени суток!
Спасибо за ответ. Получается, что под надписью Negative silicon layer должен быть нижний рисунок, упрощенно говоря, с фосфором и электроном? Ведь солнечный свет падает на n-слой? И этот слой содержит донорную примесь?

Возможен такой вариант и, скорее всего так и есть в промышленно выпускаемых панелях.
Но на самом деле, с теоретической т.з. возможны оба варианта. Главное, чтобы свет дошел до p - n перехода. Более того, посмотрел немного литературу, похоже, что может использоваться вариант с легированием только одной примесью - P. Тогда, скорее всего, слой с донорной примесью обращен к свету.

Кстати, по поводу того, что на картинке все перепутано. Даже в этом нельзя упрекнуть авторов. Понятие негативный и позитивный не очень хорошо рассматривать вне контекста и какого-то текстового описания. Дело в том, что полярность самого p-n перехода в стабильном состоянии (в темноте или при разомкнутой внешней цепи) как раз обратная. Есть такое понятие - диффузный ток - перемещение зарядов из области с высокой концентрацией в область с низкой. Собственно благодаря этому и возникает разность потенциалов на p-n переходе. Электроны из n области диффундируют в p область, дырки наоборот. Сложно все...

Вам насколько подробно все это надо? Если серьезно разбираться, то надо глубоко копать...